国产DDR5良品率高达80% 媲美三大原厂!17.5纳米工艺
[休闲] 时间:2024-12-25 13:25:32 来源:利锁名缰网 作者:休闲 点击:117次
12月24日消息,国产高达工艺近日,品率%媲金百达、原厂光威同时发布了采用国产芯片的纳米DDR5内存产品,均为频率6000MHz、国产高达工艺单条容量16GB,品率%媲双条套装价格499元。原厂
虽然没有明说,纳米但种种迹象都表明,国产高达工艺DDR5芯片就是品率%媲长鑫存储出品的,显然已经规模化量产。原厂
长鑫此前的纳米主要产品是DDR4、LPDDR4、国产高达工艺LPDDR4X系列,品率%媲制造工艺都是原厂19纳米,2023年11月正式推出LPDDR5,用于移动端,如今终于迈入了DDR5的行列,与三星、SK海力士、美光三大原厂平起平坐。
据半导体行业人士透露,据其了解,长鑫存储确实已经开始生产DDR5,并与客户接洽,公布的产品良率在80%左右。
要知道,三星、SK海力士的DDR5芯片良率也就是80-90%,显然长鑫已经达到了国际先进水准,而且仍有进一步提升的空间。
半导体行业观察机构TechInsights的Jeongdong Choi博士也在高度关注长鑫DDR5,并寻找机会进行分析。
他透露,虽然长鑫没有公开官方信息,但是根据他掌握的信息,DDR5一般都是使用G3工艺开发的,线宽(特征尺寸)为17.5纳米。
相比之下,DDR4使用的是G1工艺,线宽22纳米,LPDDR4X则使用G1、G3。
要知道,长鑫早已经被美国列入实体清单,不可能获得三大原厂同款的EUV光刻设备,只能依赖现有设备和技术,即便如此还能高良率量产DDR5,无疑是巨大的突破。
顺带一提,长江存储今天发布致态TiPro9000,作为其首款PCIe 5.0 SSD,使用了新一代晶栈Xtacking 4.0架构闪存,虽未透露具体层数,但明确表示有着更高的存储密度、I/O速度、可靠性,同样值得欢欣鼓舞!
(责任编辑:综合)
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